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减小损伤层深度和控制切片几何参数:欧博平台
时间:2020-11-13 00:56 点击次数:
本文摘要:在晶体加工过程中,随着硅单晶尺寸的减小,多线切割技术被广泛应用于晶体切割过程中。WEDM可以明显改善翘曲,但硅的损耗明显增加,损伤深度增加。因此,本文从减小损伤层深度和控制切片几何参数精度两个方面对多线切割技术进行了研究。

硅单晶

在晶体加工过程中,随着硅单晶尺寸的减小,多线切割技术被广泛应用于晶体切割过程中。WEDM可以明显改善翘曲,但硅的损耗明显增加,损伤深度增加。这进一步增加了粒子产生的可能性,造成晶格成分的解体和破坏,硅片开裂等。

[5]。硅片的损伤层深度一定不会受到切晶工艺的影响,也不会影响之前晶圆研磨工艺的去除量。此外,切片的几何参数(如TTV、翘曲和弓形)也间接影响研磨过程的去除量。因此,本文从减小损伤层深度和控制切片几何参数精度两个方面对多线切割技术进行了研究。

1.测试1.1样品直径:151mm0.2mm;长度:260mm10mm;导电类型:P型;电阻率:8 ~ 13 cm。1.2切割头尾,将单晶倒圆后,得到多线切割机剔除的硅单晶。经过定向键合、多线切割、脱胶、清洗等工艺过程,得到厚度为780米的硅切割片。

对硅切件的参数进行测试,通过倒角和磨削进行检验。1.。


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